Kebergantungan suhu dengan penggunaan tiub kuarza relau ke atas sel suria dwi-muka

Sel suria digunakan untuk menawan foton untuk menjana tenaga. Walau bagaimanapun, penambahbaikan sel diperlukan untuk meningkatkan jumlah penangkapan foton dan juga untuk meningkatkan kecekapan sel. Ini melibatkan keseluruhan proses pembuatan sel, dengan proses penyepuhlindapan adalah salah satu d...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Nurul Aqidah Mohd Sinin, Mohd Adib Ibrahim, Suhaila Sepeai, Mohd Asri Mat Teridi, Norasikin Ahmad Ludin, Kamaruzzaman Sopian, Saleem H. Zaidi
Format: Article
Language:English
Published: Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2018
Online Access:http://journalarticle.ukm.my/12065/
http://journalarticle.ukm.my/12065/
http://journalarticle.ukm.my/12065/1/UKM%20SAINSMalaysiana%2047%2804%29Apr%202018%2018.pdf
Description
Summary:Sel suria digunakan untuk menawan foton untuk menjana tenaga. Walau bagaimanapun, penambahbaikan sel diperlukan untuk meningkatkan jumlah penangkapan foton dan juga untuk meningkatkan kecekapan sel. Ini melibatkan keseluruhan proses pembuatan sel, dengan proses penyepuhlindapan adalah salah satu daripada langkah penting yang perlu dioptimumkan. Percetakan perlogaman menggunakan dwi pembakaran merupakan kaedah yang paling biasa digunakan dalam penghasilan sel suria kristal secara komersial. Aluminium (Al) digunakan pada bahagian belakang sel sebagai medan permukaan belakang dan penyambung belakang manakala perak (Ag) dicetak pada bahagian hadapan sebagai grid pemungut. Proses dwi pembakaran bagi komponen ini adalah penting dalam menentukan kecekapan sel. Oleh itu, dalam kajian ini, rawatan pembakaran telah dikaji dengan menggunakan relau tiub kuarza (QTF) dengan perubahan suhu pembakaran (700, 750, 800 and 850°C) sebagai satu percubaan untuk mendapatkan kecekapan yang tinggi serta meningkatkan kesan pemirauan persimpangan Ag. Apabila suhu meningkat, sifat elektrik sel suria dwi-muka juga turut meningkat. Kebergantungan suhu menunjukkan rintangan pirau yang tinggi disebabkan oleh proses penyejukan yang pantas selepas proses pembakaran dan seterusnya membawa kepada faktor isi dan kecekapan sel yang tinggi.