Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N

Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis ters...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors:	Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong, Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail
Format:	Article
Language:	English
Published:	Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2019
Online Access:	http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf

id	ukm-13723
recordtype	eprints
spelling	ukm-137232019-11-29T09:07:46Z http://journalarticle.ukm.my/13723/ Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2019-06 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf Mohd Zulhakimi Abdul Razak, and Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, and Muhamad Ramdzan Buyong, and Sawal Hamid Md Ali, and Teh, Chin Hoong and Jumadi Abdul Sukor, and Ahmad Ghadafi Ismail, (2019) Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N. Sains Malaysiana, 48 (6). pp. 1295-1300. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid48bil6_2019/KandunganJilid48Bil6_2019.html
repository_type	Digital Repository
institution_category	Local University
institution	Universiti Kebangasaan Malaysia
building	UKM Institutional Repository
collection	Online Access
language	English
description	Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien.
format	Article
author	Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail,
spellingShingle	Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
author_facet	Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail,
author_sort	Mohd Zulhakimi Abdul Razak,
title	Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_short	Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_full	Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_fullStr	Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_full_unstemmed	Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_sort	kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-n
publisher	Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
publishDate	2019
url	http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf
first_indexed	2023-09-18T20:05:29Z
last_indexed	2023-09-18T20:05:29Z
_version_	1777407130313162752

Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N

Similar Items